品牌:INFINEON
封裝:TO-220F
批號:22+
數量:6000
交期:原裝現貨
價格:22.89
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參數名稱
參數值
Source Content uid
SPA20N65C3
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認證
符合
生命周期
Not Recommended
Objectid
1995844051
零件包裝代碼
TO-220AB
包裝說明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
針數
3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代碼
EAR99
風險等級
7.62
Samacsys Manufacturer
Infineon
Samacsys Modified On
2020-11-30 19:47:12
YTEOL
3
其他特性
AVALANCHE RATED
雪崩能效等級(Eas)
690 mJ
外殼連接
ISOLATED
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
650 V
最大漏極電流 (Abs) (ID)
20.7 A
最大漏極電流 (ID)
20.7 A
最大漏源導通電阻
0.19 Ω
FET 技術
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-220AB
JESD-30 代碼
R-PSFM-T3
JESD-609代碼
e3
元件數量
1
端子數量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
150 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
FLANGE MOUNT
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
34.5 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)
62.1 A
認證狀態
Not Qualified
子類別
FET General Purpose Power
表面貼裝
NO
端子面層
TIN
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
晶體管應用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
參數規格與技術文檔
全部數據手冊技術文檔
全部
全部
數據手冊
技術文檔
下載: SPA20N65C3
Infineon Technologies AG
下載: SPA20N65C3
Infineon Technologies AG
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