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FQD18N20V2TM

發布時間:2023/3/21 10:45:00 訪問次數:92 發布企業:深圳市力拓輝電子有限公司

型號:FQD18N20V2TM
品牌:ON
封裝:TO-252
批號:21+
數量:60000
交期:原裝現貨

價格:特價

深圳市力拓輝電子科技有限公司本著“誠信為本,品質第一,求實創新”的企業精神,立足亞洲市場,供應全球各大品牌全新原裝芯片,服務中國電子制造。公司長期備有大量現貨,只做進口全新原裝,歡迎來電來函洽談業務、索取資料;真誠服務,與客戶共同成長,業務不論大小,我們都提供優質服務!
本司主要業務:
1: 提供大量的原裝現貨庫存,為客戶提供產品的配單;
2: 支持小批量訂購,國外現貨5-7天到深圳;
3: 為客戶助尋偏門.冷門.緊缺.軍工級及停產器件,
同樣的產品,我們比質量、同樣的質量,我們比價格、
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選擇我們相信我們我們會一直努力做得更好!


因為芯片采購量的成本不同,市場價格天天變化,本司網上報價和庫存數量僅作為參考,不作為實際交易價格,需要最新的價格和庫存數量請致電我司銷售人員,我司銷售人員將竭誠為您服務,如給您造成不便,我們誠懇的向您致歉!


歡迎各位廠家朋友來我司蒞臨指導工作!熱忱歡迎您的光臨和洽談!


E-mail:15012764936@126.com
網站:http://www.lthdz-group.com/


聯系方式:
李先生:0755-82568894 15118159026 18789759805
QQ:2881141876




公司傳真:0755-82568894
公司地址:深圳市福田區華強北都會100大廈B座26U
參數名稱 參數值
是否無鉛 不含鉛不含鉛
是否Rohs認證 符合符合
生命周期 Active
Objectid 1306176238
包裝說明 LEAD FREE, DPAK-3
針數 3
Reach Compliance Code unknown
風險等級 7.29
雪崩能效等級(Eas) 340 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 200 V
最大漏極電流 (ID) 15 A
最大漏源導通電阻 0.14 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼 R-PDSO-G2
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度(攝氏度) 260
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大脈沖漏極電流 (IDM) 60 A
認證狀態 COMMERCIAL
表面貼裝 YES
端子面層 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
參數規格與技術文檔 全部數據手冊技術文檔 全部 全部 數據手冊 技術文檔 下載: FQD18N20V2TM Rochester Electronics LLC 相關器件 FQD18N20V2TM

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