ADG1212YRUZ均為單芯片互補金屬氧化物半導體(CMOS)器件，內置四個采用iCMOS®（工業CMOS）工藝設計的獨立可選開關。iCMOS是一種模塊式制造工藝，集高電壓CMOS與雙極性技術于一體。利用這種工藝，可以開發工作電壓達33 V的各種高性能模擬IC，并實現以往的高壓器件所無法實現的尺寸。與采用傳統CMOS工藝的模擬IC不同，iCMOS器件不但可以承受高電源電壓，同時還能提升性能、大幅降低功耗并減小封裝尺寸。

ADG1212YRUZ開關具有超低電容和電荷注入特性，因而是要求低毛刺和快速建立時間的數據采集與采樣保持應用的理想解決方案。較快的開關速度及高信號帶寬，使這些器件適合視頻信號切換應用。

iCMOS結構可確保功耗極低，因而這些器件非常適合便攜式電池供電儀表。

ADG1212YRUZ內置四個獨立的單極/單擲(SPST)開關。ADG1211和ADG1212YRUZ-REEL7的唯一不同之處就是數字控制邏輯相反。ADG1211開關的接通條件是相關控制輸入為邏輯0，而ADG1212則要求邏輯1。ADG1213有兩個開關的數字控制邏輯與ADG1211相似；但其它兩個開關的控制邏輯則相反。ADG1213為先開后合式開關，適合多路復用器應用。

ADG1212YRUZ當接通時，各開關在兩個方向的導電性能相同，輸入信號范圍可擴展至電源電壓范圍。在斷開條件下，達到電源電壓的信號電平被阻止。

產品特色

超低電容。

電荷注入小于1 pC。

3 V邏輯兼容數字輸入：VIH = 2.0 V，VIL = 0.8 V。

無需VL邏輯電源。

超低功耗：<0.03 μW。

16引腳TSSOP和3 mm × 3 mm LFCSP封裝。

應用

自動測試設備

數據采集系統

電池供電系統

采樣保持系統

音頻信號路由

視頻信號路由

通信系統

優勢和特點

1 pF關斷電容

2.6 pF導通電容

電荷注入小于1 pC

電源電壓范圍：33 V

導通電阻：120 Ω

額定電源電壓：±15 V、+12 V

無需 VL 電源

3 V邏輯兼容輸入

軌到軌工作

16引腳TSSOP和16引腳LFCSP

典型功耗：<0.03 µW

ADG1212-EP支持防務和航空航天應用（AQEC標準）

下載 ADG1212-EP 數據手冊 (pdf)

軍用溫度范圍：

−55°C至+125°C

受控制造基線

唯一封裝/測試廠

唯一制造廠

增強型產品變更通知

認證數據可應要求提供

V62/12617 DSCC圖紙號