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IPTG007N06NM5

發布時間:2023/3/22 17:02:00 訪問次數:76

IPTG007N06NM5

商品屬性 屬性值 選擇屬性
製造商: Infineon
產品類型: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: HSOG-8
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 60 V
Id - C連續漏極電流: 454 A
Rds On - 漏-源電阻: 750 uOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 3.3 V
Qg - 閘極充電: 209 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 375 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
品牌: Infineon Technologies
產品類型: MOSFET
原廠包裝數量: 1800
子類別: MOSFETs
零件號別名: IPTG007N06NM5 SP005430755

5M40ZE64C5N
TLE92108-232QX
MSP430FW427IPMR
SPC560D40L1C4E0X
TMS320F28055PNT
A4955GLPTR-T
TPS7A8901RTJR
IPTG007N06NM5
TMS320F28069PZT
LM2672MX-5.0PB
XMC4500-F144K1024 AC
MM74HC14MTCX
VNQ660SPTR-E
AD8211WYRJZ-RL
UCC3818ADR
IPB120N04S4-02
TPS92662AQPHPRQ1
TPS62097RWKR
TPS546C23RVFR
F280048PMQR
CC2640R2FRSMR
M95512-WMN6TP
VN800PSTR-E
INA240A1QPWRQ1

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