產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 600 V
集電極—射極飽和電壓: 1.6 V
柵極/發射極最大電壓: - 20 V, + 20 V
在25 C的連續集電極電流: 80 A
Pd-功率耗散: 319.2 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 175 C
系列: Trenchstop IGBT3
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
柵極—射極漏泄電流: 100 nA
產品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數量: 240
子類別: IGBTs
商標名: TRENCHSTOP
零件號別名: IKW50N60DTP SP001379678
單位重量: 6.065 g
