品牌：美高森美
電流：60A
電壓：1000V
工作溫度(Max)：175℃
工作溫度(Min)：-55 ℃
安裝方式：螺絲型
包裝方式：標準封裝
貨期期：2天
庫存：1000
發貨地：江蘇蘇州
金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-SEMIconductor)結構的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構成的集成電路稱為
MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構成的互補型MOS集成電路即為CMOS-IC
MOSFET的結構
MOSFET是Metal-Oxide-SILicon Field Effect Transistor的英文縮寫，平面型器件結構，按照導電溝道的不同可以分為NMOS和PMOS器件。MOS
器件基于表面感應的原理，是利用垂直的柵壓VGS實現對水平IDS的控制。它是多子（多數載流子）器件。用跨導描述其放大能力。MOSFET晶體
管的截面S＝Source，G=Gate,D=Drain。
NMOS和PMOS在結構上完全相像，所不同的是襯底和源漏的摻雜類型。NMOS是在P型硅的襯底上，通過選擇摻雜形成N型的摻雜區，作為NMOS
的源漏區；PMOS是在N型硅的襯底上，通過選擇摻雜形成P型的摻雜區，作為PMOS的源漏區。如圖所示，兩塊源漏摻雜區之間的距離稱為溝道長度L，
而垂直于溝道長度的有效源漏區尺寸稱為溝道寬度W。對于這種簡單的結構，器件源漏是完全對稱的，只有在應用中根據源漏電流的流向才能后確認
具體的源和漏。
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