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IPB117N20NFD TO-263 MOSFET N-Ch

發布時間:2023/3/28 18:14:00 訪問次數:63 發布企業:深圳市恒森鑫電子有限公司

產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續漏極電流: 84 A
Rds On-漏源導通電阻: 10.3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 87 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商標名: OptiMOS
系列: OptiMOS Fast Diode
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 8 ns
正向跨導 - 最小值: 70 S
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 10 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 24 ns
典型接通延遲時間: 13 ns
寬度: 9.25 mm
零件號別名: IPB117N20NFDATMA1 SP001107232 IPB117N20NFDATMA1
單位重量: 4 g

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