APS6408L-3OBM-BA制造商: AP Memory Technology
產品種類: 動態隨機存取存儲器
RoHS: 詳細信息
類型: PSRAM (Pseudo SRAM)
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: BGA-24
數據總線寬度: 8 bit
組織: 8 M x 8
存儲容量: 64 Mbit
最大時鐘頻率: 133 MHz
訪問時間: 5.5 ns
電源電壓-最大: 3.6 V
電源電壓-最小: 2.7 V
電源電流—最大值: 14 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
系列: IoT RAM
封裝: Tray
商標: AP Memory
濕度敏感性: Yes
產品類型: DRAM
工廠包裝數量: 4800
子類別: Memory & Data Storage
商標名: APMemory
單位重量: 152 mg
同公司其他新聞- 10-11LM20323EVAL
- 10-11LM20323MHE/NOPB
- 10-11PXN012-60QLJ
- 10-11AD8541ARZ-REEL
- 10-11IRF7425TRPBF
- 10-11A6S-2102-H
- 05-08184192-1
- 05-081552860000
- 05-083590S-1-103L
- 05-0859170-1-S-00-D
- 05-081008HQ-39NXGLB
- 05-081008HQ-56NXGLB
