RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 33 A
Rds On-漏源導通電阻: 98 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 103 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 278 W
通道模式: Enhancement
系列: E
封裝: Tube
商標: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時間: 48 ns
高度: 20.82 mm
長度: 15.87 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 43 ns
工廠包裝數量: 500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 161 ns
典型接通延遲時間: 28 ns
寬度: 5.31 mm
單位重量: 6 g
