貨期：原裝現貨

參數名稱 參數值
Source Content uid 2SK3116B-S19-AY
Brand Name Renesas
是否無鉛 不含鉛
是否Rohs認證 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1800791185
零件包裝代碼 MP-25
包裝說明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
針數 3
制造商包裝代碼 PRSS0004AH-A3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 4 weeks
風險等級 9.13
Samacsys Description Switching N Channel MOSFET
Samacsys Manufacturer Renesas Electronics
Samacsys Modified On 2022-04-28 13:17:55
雪崩能效等級（Eas） 37.5 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 600 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 7.5 A
最大漏極電流 (ID) 7.5 A
最大漏源導通電阻 1.2 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-220AB
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
元件數量 1
端子數量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 70 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 30 A
認證狀態 Not Qualified
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
參數規格與技術文檔 全部數據手冊技術文檔 全部 全部 數據手冊 技術文檔 下載: 2SK3116B-S19-AY Renesas Electronics Corporation 下載: 2SK3116B-S19-AY Renesas Electronics Corporation 相關器件 2SK3116B-S19-AY