技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: PowerPAK SO-8DC
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 80 V
Id - C連續漏極電流: 153 A
Rds On - 漏-源電阻: 2.9 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 4 V
Qg - 閘極充電: 28 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 150 W
通道模式: Enhancement
系列: SiDR5802EP
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Vishay Semiconductors
下降時間: 13 ns
互導 - 最小值: 49 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 16 ns