技術
MOSFET（金屬氧化物）
配置
2 N-通道（雙）
FET 功能
邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）
60V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
40A
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
12.5mOhm @ 10A，5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
22.4nC @ 5V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
2953pF @ 25V
功率 - 最大值
64W
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
SOT-1205，8-LFPAK56
供應商器件封裝
LFPAK56D
基本產品編號
BUK9K13
