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IRF5802TRPBF

發布時間:2023/4/6 17:16:00 訪問次數:66

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制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSOP-6
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Id-連續漏極電流: 900 mA
Rds On-漏源導通電阻: 1.2 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5.5 V
Qg-柵極電荷: 4.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 9.2 ns
正向跨導 - 最小值: 0.55 S
高度: 1.1 mm
長度: 3 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 1.6 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 7.5 ns
典型接通延遲時間: 6 ns
寬度: 1.5 mm
零件號別名: IRF5802TRPBF SP001561828
單位重量: 20 mg

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