貨期：原裝現貨

參數名稱 參數值
Source Content uid RJP65S05DWT-80#X0
Brand Name Renesas
是否無鉛 含鉛
是否Rohs認證 不符合
生命周期 Not Recommended
Objectid 1190171450
零件包裝代碼 Chip
包裝說明 ,
制造商包裝代碼 1R010000ZA
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 5A002
風險等級 9.49
Samacsys Description IGBT for Inverter IGBT 650V 150A tcs=10us
Samacsys Manufacturer Renesas Electronics
Samacsys Modified On 2023-02-22 15:27:29
YTEOL 3
最大集電極電流 (IC) 150 A
集電極-發射極最大電壓 650 V
門極-發射極最大電壓 30 V
最高工作溫度 150 °C
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
子類別 Insulated Gate BIP Transistors
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
參數規格與技術文檔 全部數據手冊技術文檔 全部 全部 數據手冊 技術文檔 下載: RJP65S05DWT-80#X0 Renesas Electronics Corporation 下載: RJP65S05DWT-80#X0 Renesas Electronics Corporation 相關器件 RJP65S05DWT-80#YB1RJP65S05DWT-80#X0