注1:一般應用-一般應用的額定功率基于連接到電阻器每一端的0.5平方英寸(300平方毫米)的端接焊盤或跡線面積(2盎司銅)。
芯片高溫度為150°C。使用減額曲線對環境溫度和相鄰材料的溫度限制進行適當的減額。
注2:熱阻-在高功率應用中,電路板材料了高散熱效果(如IMS、氧化鋁或其他),片式電阻器的熱阻有助于建立應用中的片式電阻器。在電阻元件的中心測量薄膜溫度,在可焊接底座的中心測量焊盤溫度(下面所示的推薦電路布局中的點X)。
規格:溫度系數:以+25°C為基準的TC,在+150°C時取∆R。0.050歐姆至0.20歐姆,0至+100ppm/°C。0.010歐姆至0.049歐姆,0到+200ppm/℃。
電感:通常小于5nH。負載壽命:額定功率下1000小時,基于150°C的芯片溫度,∆R±(0.5%+0.005歐姆)。瞬時過載:1.5倍額定功率,持續5秒,∆R±(0.5%+0.0005歐姆)。
工作溫度:-55°C至+150°C。測量注意:所有測量都是在建議的連接位置使用Kelvin連接進行的。訂購信息:Ko表示膠帶厚度和尺寸,直徑為12±473“AoBo7”。(178毫米).512“心軸孔(13毫米)。