制造商: Toshiba
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: SiC
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV
Id-連續漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導通電阻: 182 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5 V
Qg-柵極電荷: 158 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 431 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: Toshiba
下降時間: 75 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 80 ns
工廠包裝數量: 30
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 139 ns
典型接通延遲時間: 121 ns