型號：BSZ034N04LS

參數名稱 參數值
Source Content uid BSZ034N04LS
是否Rohs認證 符合
生命周期 Active
Objectid 1839515261
包裝說明 SMALL OUTLINE, S-PDSO-N3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
風險等級 1.78
Samacsys Description MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 5.62
雪崩能效等級（Eas） 70 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 40 V
最大漏極電流 (ID) 19 A
最大漏源導通電阻 0.0046 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼 S-PDSO-N3
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 SQUARE
封裝形式 SMALL OUTLINE
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大脈沖漏極電流 (IDM) 160 A
表面貼裝 YES
端子面層 TIN
端子形式 NO LEAD
端子位置 DUAL
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON