參數名稱
參數值
Source Content uid
IRF4905STRLPBF
是否Rohs認證
符合
生命周期
Active
Objectid
8006006371
包裝說明
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code
not_compliant
Country Of Origin
Mainland China
ECCN代碼
EAR99
風險等級
0.79
Samacsys Description
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
Samacsys Manufacturer
Infineon
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
5.57
其他特性
HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED
雪崩能效等級（Eas）
140 mJ
外殼連接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
55 V
最大漏極電流 (Abs) (ID)
42 A
最大漏極電流 (ID)
42 A
最大漏源導通電阻
0.02 Ω
FET 技術
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-263AB
JESD-30 代碼
R-PSSO-G2
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級
1
元件數量
1
端子數量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
150 °C
最低工作溫度
-55 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
極性/信道類型
P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
170 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)
280 A
認證狀態
Not Qualified
子類別
Other Transistors
表面貼裝
YES
端子面層
MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
晶體管應用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
