型號：SPD30P06P

參數名稱 參數值
Source Content uid SPD30P06P
是否Rohs認證 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1533046460
零件包裝代碼 TO-252
包裝說明 ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
針數 4
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代碼 EAR99
風險等級 9.57
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2023-01-02 02:28:22
其他特性 AVALANCHE RATED
雪崩能效等級（Eas） 250 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 60 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 30 A
最大漏極電流 (ID) 30 A
最大漏源導通電阻 0.075 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-252
JESD-30 代碼 R-PSSO-G2
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 3
元件數量 1
端子數量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 175 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 125 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 120 A
認證狀態 Not Qualified
子類別 Other Transistors
表面貼裝 YES
端子面層 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶體管元件材料 SILICON