型號：BUK9K6R2-40E

參數名稱 參數值
Source Content uid BUK9K6R2-40E
是否Rohs認證 符合
生命周期 Active
Objectid 4002391439
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code not_compliant
Country Of Origin Mainland China, Philippines
ECCN代碼 EAR99
風險等級 7.22
Samacsys Manufacturer Nexperia
Samacsys Modified On 2019-09-03 14:12:29
YTEOL 5.62
其他特性 AVALANCHE RATED
雪崩能效等級（Eas） 166 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 40 V
最大漏極電流 (ID) 40 A
最大漏源導通電阻 0.0062 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼 R-PDSO-G6
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 2
端子數量 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大脈沖漏極電流 (IDM) 295 A
參考標準 AEC-Q101; IEC-60134
表面貼裝 YES
端子面層 TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON