參數名稱
參數值
Source Content uid
IPP65R110CFDA
是否無鉛
含鉛
是否Rohs認證
符合
生命周期
Active
Objectid
1205102583
零件包裝代碼
TO-220AB
包裝說明
GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
針數
3
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代碼
EAR99
風險等級
6.76
Samacsys Description
MOSFET AUTOMOTIVE
Samacsys Manufacturer
Infineon
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
6.5
其他特性
HIGH RELIABILITY
雪崩能效等級（Eas）
845 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
650 V
最大漏極電流 (ID)
31.2 A
最大漏源導通電阻
0.11 Ω
FET 技術
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-220AB
JESD-30 代碼
R-PSFM-T3
JESD-609代碼
e3
元件數量
1
端子數量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
FLANGE MOUNT
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大脈沖漏極電流 (IDM)
99.6 A
參考標準
AEC-Q101
表面貼裝
NO
端子面層
TIN
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
晶體管應用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
