CSD18540Q5B

製造商: Texas Instruments
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: VSON-CLIP-8
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 60 V
Id - C連續漏極電流: 100 A
Rds On - 漏-源電阻: 2.2 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1.5 V
Qg - 閘極充電: 41 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 188 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: NexFET
系列: CSD18540Q5B
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Texas Instruments
配置: Single
開發套件: BOOSTXL-DRV8305EVM, DRV8704EVM
下降時間: 3 ns
高度: 1 mm
長度: 6 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 9 ns
原廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel Power MOSFET
標準斷開延遲時間: 20 ns
標準開啟延遲時間: 6 ns
寬度: 5 mm
每件重量: 120.600 mg