MT40A512M8SA-062E IT:F MT40A512M8SA-062E:F

MT40A512M8SA-062E IT:FMT40A512M8SA-062E:F動態隨機存取存儲器 DDR4 4G 512MX8 FBGA

MT40A512M8SA-062E IT:FMT40A512M8SA-062E:F特征


•VDD=VDDQ=1.2V±60mV


•VPP=2.5V，-125mV/+250mV


•模上、內部、可調VREFDQ生成


•1.2V偽開漏I/O


•TC最高可達95°C


–64ms，8192次循環刷新，最高85°C


–32ms，8192次循環刷新，溫度>85°C至95°C


•16個內部銀行（x4、x8）：4組，每組4個銀行


•8個內部銀行（x16）：2組，每組4個銀行


•8n位預取架構


•可編程數據選通前導碼


•數據選通前導碼訓練


•命令/地址延遲（CAL）


•多用途寄存器讀取和寫入功能


•寫入均衡


•自刷新模式


•低功耗自動自刷新（LPASR）


•溫度控制刷新（TCR）


•細粒度刷新


•自刷新中止


•最大程度省電


•輸出驅動器校準


•標稱端接、駐車端接和動態端接


（ODT）


•數據總線的數據總線反轉（DBI）


•命令/地址（CA）奇偶校驗


•數據總線寫入循環冗余檢查（CRC）


•每個DRAM的可尋址性


•連接測試


•sPPR和hPPR功能


•符合JEDEC JESD-79-4