MT40A256M16LY-062E IT:F特征
•VDD=VDDQ=1.2V±60mV
•VPP=2.5V，-125mV/+250mV
•模上、內部、可調VREFDQ生成
•1.2V偽開漏I/O
•TC最高可達95°C
–64ms，8192次循環刷新，最高85°C
–32ms，8192次循環刷新，溫度>85°C至95°C
•16個內部銀行（x4、x8）：4組，每組4個銀行
•8個內部銀行（x16）：2組，每組4個銀行
•8n位預取架構
•可編程數據選通前導碼
•數據選通前導碼訓練
•命令/地址延遲（CAL）
•多用途寄存器讀取和寫入功能
•寫入均衡
•自刷新模式
•低功耗自動自刷新（LPASR）
•溫度控制刷新（TCR）
•細粒度刷新
•自刷新中止
•最大程度省電
•輸出驅動器校準
•標稱端接、駐車端接和動態端接
（ODT）
•數據總線的數據總線反轉（DBI）
•命令/地址（CA）奇偶校驗
•數據總線寫入循環冗余檢查（CRC）
•每個DRAM的可尋址性
•連接測試
•sPPR和hPPR功能
•符合JEDEC JESD-79-4
