類別
分立半導體產品
晶體管
FET,MOSFET
單 FET,MOSFET
制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ II
包裝
卷帶(TR)
剪切帶(CT)
產品狀態
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
600 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
11A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)
360 毫歐 @ 5.5A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值)
30 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)
790 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
90W(Tc)
工作溫度
150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D2PAK
封裝/外殼
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
基本產品編號
STB13
更多型號加V:186-8032-8178-
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