H5AN8G8NDJR-XNC 8Gb DDR4 SDRAM
描述
H5AN8G4NDJR-*xxC, H5AN8G8NDJR-*xxC, H5AN8G6NDJR-*xxC是8Gb CMOS雙數據速率IV
(DDR4)同步DRAM，非常適合需要大內存的主存儲器應用
密度和高帶寬。SK海力士8Gb DDR4 dram提供完全同步操作參考
鐘的上升邊緣和下降邊緣。而所有的地址和控制輸入都鎖定在上升
CK的邊(CK的下降邊)，數據，數據頻閃和寫數據掩碼輸入進行采樣
它的上升邊和下降邊都有。數據路徑內部流水線和8位預取來實現
帶寬非常高。
特性
•vdd = vddq = 1.2v +/- 0.06v
•全差分時鐘輸入(CK, CK)操作
•差分數據頻閃(DQS, DQS)
•芯片上DLL對齊DQ, DQS和DQS轉換與CK
過渡
•DM掩碼在上升和下降時都寫入數據
數據頻閃器的邊緣
•所有地址和控制輸入，除了數據，數據
頻閃器和數據掩模鎖在上升邊緣
時鐘
•可編程CAS延遲9,10,11,12,13,14,15，
支持16、17、18、19、20
•可編程添加延遲0,CL-1和CL-2
支持(僅x4/x8)
•可編程CAS寫延遲(CWL) = 9,10,11，
12、14、16、18
•可編程爆發長度4/8與啃咬
順序和交錯模式
•BL開關在飛行中
•16家銀行
•平均刷新周期(0℃~ 95℃)
在0℃~ 85℃時- 7.8µs
在85℃~ 95℃時- 3.9µs
•JEDEC標準78ball FBGA(x4/x8)， 78ball FBGA(x16)
•司機強度由MRS選擇
•支持動態上模終止
•兩種終止狀態，如RTT_PARK和
RTT_NOM可通過ODT引腳切換
•支持異步復位引腳
