K4A4G085WE-BCTD K4A4G085WF-BCTD

JEDEC標準1.2V (1.14V~1.26V)
•VDDQ = 1.2v (1.14v ~ 1.26v)
•800 MHz fCK為1600Mb/秒/引腳，933 MHz fCK為1866Mb/秒/引腳，
1067MHz fCK為2133Mb/sec/pin, 1200MHz fCK為2400Mb/sec/pin，
1333MHz fCK for2666Mb/sec/pin
•16家銀行(4家銀行集團)
•可編程CAS延遲(張貼CAS):
10、11、12、13、14、15、16、17、18歲
•可編程添加延遲:0,CL-2或CL-1時鐘
•可編程CAS寫時延(CWL) = 9,11 (DDR4-1600)， 10,12
(DDR4-1866)，11,14 (DDR4-2133)，12,16 (DDR4-2400)和14,18
(ddr4 - 2666)
•8位預取
•突發長度:8,4與tCCD = 4，不允許無縫讀取
或寫[在飛行中使用A12或MRS]
•雙向差分數據頻閃
•內部(自)校準:內部自校準通過ZQ引腳
(RZQ: 240歐姆±1%)
•使用ODT引腳在模具端接
•平均刷新周期7.8us在低于TCASE 85的頻率，3.9us在
85: cm < cm < cm
•支持工業溫度(-4095 C)
- -40℃≤TCASE≤85℃時tREFI 7.8us
-在85°C < TCASE≤95°C時tREFI 3.9us
•異步復位
•包裝:78球FBGA - x4/x8
•所有無鉛產品均符合RoHS標準
•所有產品均不含鹵素
•CRC(循環冗余校驗)讀/寫數據的安全性
•命令地址奇偶校驗
•DBI(數據總線反轉)
•降檔模式
•POD (Pseudo Open Drain)接口用于數據輸入/輸出
•內部VREF數據輸入
•用于DRAM激活電源的外部VPP
•支持PPR和sPPR

K4A4G085WE-BCTD K4A4G085WF-BCTD 4Gb DDR4 SDRAM
高速雙數據速率傳輸速率高達2666Mb/秒/引腳(DDR4-)
2666)作一般用途。
該芯片設計符合以下關鍵DDR4 SDRAM功能，如貼附CAS，可編程CWL，內部(自)校準，
使用ODT引腳和異步復位的芯片終止。
所有的控制和地址輸入與一對外部最終提供的差分時鐘同步。輸入鎖存于不同時鐘的交叉點(CK上升和CK下降)。所有的I/ o都同步到a
一對雙向頻閃燈(DQS和DQS)在一個源同步閃光燈離子。地址總線用于傳遞行、列和銀行地址
RAS/CAS多路復用方式的信息。DDR4設備工作
具有單路1.2V (1.14V~1.26V)電源和1.2V (1.14V~1.26V)電源。
4Gb DDR4 E-die器件提供78ball FBGAs(x4/x8)。