技術:
Si
安裝風格:
Through Hole
封裝/外殼:
TO-92-3
晶體管極性:
N-Channel
配置:
Single
Vds - 漏-源擊穿電壓:
20 V
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓:
- 40 V
源極截止電壓:
- 1.5 V
Vgs=0 時的漏極-源極電流:
1 mA
Id - C連續漏極電流:
10 nA
Pd - 功率消耗 :
360 mW
系列:
J201
封裝:
Bulk
品牌:
InterFET
互導 - 最小值:
500 uS
產品類型:
JFETs
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