貨期：原裝現貨

參數名稱 參數值
Source Content uid 2SK1835-E
Brand Name Renesas
是否無鉛 不含鉛
是否Rohs認證 符合
生命周期 Active
Objectid 1818613573
零件包裝代碼 TO-3P
包裝說明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
針數 4
制造商包裝代碼 PRSS0004ZE
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 26 weeks
風險等級 1.56
Samacsys Description General Purpose Power MOSFETs
Samacsys Manufacturer Renesas Electronics
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 6.2
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 1500 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 4 A
最大漏極電流 (ID) 4 A
最大漏源導通電阻 7 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 125 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 10 A
認證狀態 Not Qualified
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
參數規格與技術文檔 全部數據手冊技術文檔 全部 全部 數據手冊 技術文檔 下載: 2SK1835-E Renesas Electronics Corporation 下載: 2SK1835-E Renesas Electronics Corporation 相關器件 2SK18352SK1835-E 深圳市力拓輝電子瑞薩全系列一級代理本著“誠信為本，品質第一，求實創新”的企業精神，立足亞洲市場，供應全球各大品牌全新原裝芯片，服務中國電子制造。公司長期備有大量現貨，只做進口全新原裝，歡迎來電來函洽談業務、索取資料；真誠服務，與客戶共同成長，業務不論大小，我們都提供優質服務！
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