制造商: onsemi
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-3PN-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V
Id-連續漏極電流: 48 A
Rds On-漏源導通電阻: 105 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 137 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 625 W
通道模式: Enhancement
系列: FDA50N50
封裝: Tube
商標: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降時間: 230 ns
高度: 20.1 mm
長度: 16.2 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 360 ns
450
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 225 ns
典型接通延遲時間: 105 ns
寬度: 5 mm
單位重量: 4.600 g
