制造商: Toshiba
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DPAK-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 25 A
Rds On-漏源導通電阻: 18.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.5 V
Qg-柵極電荷: 15 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 57 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標名: U-MOSVIII-H
系列: TK25S06N1L
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Toshiba
配置: Single
下降時間: 6 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 8 ns
2000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 23 ns
典型接通延遲時間: 14 ns
單位重量: 360 mg
