LMG3522R030RQSR

LMG3522R030 GaN FET 具有針對開關模式電源轉換器的集成驅動器和保護功能，使設計人員能夠實現功率密度和效率水平。

該電源 IC 集成了一個硅驅動器，可實現高達 150 V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比，TI 的集成精密柵極偏置

可實現更高的開關 SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結合，可在硬開關電源拓撲中提供干凈的開關和最小的瞬時振蕩。

可調柵極驅動強度允許控制轉換率（20 V/ns 至 150 V/ns），從而主動控制 EMI 并優化開關性能。

高級電源管理功能包括數字溫度報告和故障檢測。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出報告，簡化了器件負載的管理。

已報告的故障包括過熱、過流和欠壓鎖定 (UVLO) 監控。

特性 具有集成柵極驅動器的 650 V 硅基氮化鎵 FET： 集成高精度柵極偏置電壓 FET 釋抑：200 V/ns 開關頻率：2 MHz 電源工作范圍：7.5 V 至 18 V 壓擺率：20 V/ns 至 150 V/ns 優化開關性能和 EMI 抑制 高級電源管理： 數字溫度 PWM 輸出 強大的保護： 響應時間小于 100 ns 的逐周期過流和閉鎖短路保護 硬開關時可承受 720 V 浪涌 針對內部過熱和 UVLO 監控的自我保護 封裝：頂部冷卻 12 mm x 12 mm VQFN： 將電氣路徑和熱路徑分開以實現極低的功率環路電感 應用 開關模式電源轉換器 商用網絡和服務器 PSU 商戶電信整流器 太陽能逆變器和工業電機驅動器 不間斷電源