技術: GaN-on-Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: DIE
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 650 V
Id - C連續漏極電流: 30 A
Rds On - 漏-源電阻: 63 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 10 V, + 7 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1.1 V
Qg - 閘極充電: 6.1 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : -
通道模式: Enhancement
公司名稱: GaNPX
系列: GS665xx
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: GaN Systems
配置: Single
開發套件: GS665MB--EVB, GS66508T-EVBDB2
下降時間: 5.2 ns
濕度敏感: Yes
產品類型: MOSFET
上升時間: 3.7 ns
原廠包裝數量: 250
子類別: MOSFETs
晶體管類型: E-HEMT Power Transistor
標準斷開延遲時間: 8 ns
標準開啟延遲時間: 4.1 ns