制造商: STMicroelectronics
產品種類: 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管
RoHS: 詳細信息
晶體管極性: N-Channel
技術: Si
Id-連續漏極電流: 2.5 A
Vds-漏源極擊穿電壓: 65 V
Rds On-漏源導通電阻: 760 mOhms
工作頻率: 1 GHz
增益: 16.5 dB
輸出功率: 18 W
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 150 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerSO-10RF-Formed-4
封裝: Tube
商標: STMicroelectronics
通道模式: Enhancement
配置: Single
正向跨導 - 最小值: 1 S
高度: 3.5 mm
長度: 7.5 mm
濕度敏感性: Yes
Pd-功率耗散: 31.7 W
產品類型: RF MOSFET Transistors
系列: PD57018-E
400
子類別: MOSFETs
晶體管類型: LDMOS FET
類型: RF Power MOSFET
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
寬度: 9.4 mm
單位重量: 3 g
