STL120N10F8 是首款采用 STripFET F8 溝槽 MOSFET 技術制造的 100 V 器件，完全符合工業級要求。該 MOSFET 通過降低導通電阻和開關損耗，同時優化體漏二極管特性，節省了能源，并能確保電源轉換和電機控制電路的低噪聲。
特性 出色的體漏二極管柔軟度 低輸出電容和串聯電阻 低柵漏電荷 緊密的柵極閾值電壓分布 極高的電流能力 優點 低噪聲 關斷時漏源電壓的低尖峰和短振蕩時間 快速關斷和低開關損耗 輕松并聯 高短路穩健性
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