制造商: STMicroelectronics
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-220-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 600 V
集電極—射極飽和電壓: 1.65 V
柵極/發射極最大電壓: - 20 V, + 20 V
在25 C的連續集電極電流: 60 A
Pd-功率耗散: 200 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: STGP35HF60W
封裝: Tube
商標: STMicroelectronics
集電極最大連續電流 Ic: 35 A
柵極—射極漏泄電流: 100 nA
產品類型: IGBT Transistors
1000
子類別: IGBTs
單位重量: 2.300 g
