產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: STMicroelectronics
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-3P
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 600 V
集電極—射極飽和電壓: 1.55 V
柵極/發射極最大電壓: - 20 V, 20 V
在25 C的連續集電極電流: 60 A
Pd-功率耗散: 260 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
系列: STGWT30H60DFB
封裝: Tube
商標: STMicroelectronics
集電極最大連續電流 Ic: 30 A
柵極—射極漏泄電流: 250 nA
產品類型: IGBT Transistors
300
子類別: IGBTs
單位重量: 6.756 g