本司主要業務:
1: 提供大量的原裝現貨庫存,為客戶提供產品的配單；
2: 支持小批量訂購，國外現貨5-7天到深圳；
3: 為客戶助尋偏門.冷門.緊缺.軍工級及停產器件,
同樣的產品，我們比質量、同樣的質量，我們比價格、
同樣的價格，我們比服務、同樣的服務，我們更貼心、
同樣的貼心，我們更多一份真誠。
選擇我們相信我們我們會一直努力做得更好!
因為芯片采購量的成本不同，市場價格天天變化，本司網上報價和庫存數量僅作為參考，不作為實際交易價格，需要最新的價格和庫存數量請致電我司銷售人員，我司銷售人員將竭誠為您服務，如給您造成不便，我們誠懇的向您致歉！
歡迎各位廠家朋友來我司蒞臨指導工作！熱忱歡迎您的光臨和洽談！
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公司地址：深圳市福田區華強北都會100大廈B座26U
參數名稱
參數值
Source Content uid
UPA2755GR-E1-AT
Brand Name
Renesas
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認證
符合
生命周期
Obsolete
Objectid
1422401034
零件包裝代碼
SOP
包裝說明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
針數
8
制造商包裝代碼
PRSP0008DN
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代碼
EAR99
風險等級
9.65
Samacsys Description
Switching N-Channel Power MOSFET
Samacsys Manufacturer
Renesas Electronics
Samacsys Modified On
2022-04-28 13:17:55
雪崩能效等級（Eas）
6.4 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
30 V
最大漏極電流 (Abs) (ID)
8 A
最大漏極電流 (ID)
8 A
最大漏源導通電阻
0.029 Ω
FET 技術
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼
R-PDSO-G8
JESD-609代碼
e3
元件數量
1
端子數量
8
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
150 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
2 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)
32 A
子類別
FET General Purpose Power
表面貼裝
YES
端子面層
MATTE TIN
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
晶體管應用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
參數規格與技術文檔
全部數據手冊技術文檔
全部
全部
數據手冊
技術文檔
下載: UPA2755GR-E1-AT
Renesas Electronics Corporation
下載: UPA2755GR-E1-AT
Renesas Electronics Corporation
相關器件
UPA2755GR-E2-AUPA2755GR-E2-ATUPA2755GR-E1-ATUPA2755GR-E1-A
