制造商: STMicroelectronics
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: D2PAK-3
安裝風格: SMD/SMT
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 600 V
集電極—射極飽和電壓: 1.7 V
柵極/發射極最大電壓: - 20 V, 20 V
在25 C的連續集電極電流: 60 A
Pd-功率耗散: 260 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
系列: STGB30H60DLLFBAG
資格: AEC-Q101
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: STMicroelectronics
柵極—射極漏泄電流: 250 uA
產品類型: IGBT Transistors
1000
子類別: IGBTs
單位重量: 1.380 g
