碳化硅 (SiC) MOSFET 使用的技術與硅相比，可提供卓越的開關性能和更高的可靠性。此外，低導通電阻和緊湊的芯片尺寸也確保了低電容和低柵極電荷。因此具有了許多系統優勢，包括更高的效率、更快的工作頻率、更高的功率密度，更低的 EMI 和更小的系統尺寸。
由于有開爾文源極配置和較低的寄生源電感，TOLL 封裝提供了更好的熱性能和出色的開關性能。TOLL 提供 1 級濕度敏感度 (MSL 1)。
特性 具有開爾文源極配置的 D2PAK-7L 封裝 優秀的 FOM (= RDSON* EOSS) M3S 技術：22mΩ RDS(ON)，低 EON和 EOFF損耗 15 V 至 18 V 柵極驅動 100% 通過雪崩測試 無鹵素且符合 RoHS 規范 應用 工業應用
