制造商:
Infineon
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-262-3
晶體管極性:
N-Channel
通道數量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
55 V
Id-連續漏極電流:
110 A
Rds On-漏源導通電阻:
8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
2 V
Qg-柵極電荷:
97.3 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
200 W
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