技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
300 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
59A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
56 毫歐 @ 29.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
4670 pF @ 25 V
