制造商: STMicroelectronics
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: DPAK-3
安裝風格: SMD/SMT
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 390 V
集電極—射極飽和電壓: 1.35 V
柵極/發射極最大電壓: - 12 V, 16 V
Pd-功率耗散: 125 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
系列: STGD19N40LZ
資格: AEC-Q101
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: STMicroelectronics
集電極最大連續電流 Ic: 25 A
柵極—射極漏泄電流: 625 uA
產品類型: IGBT Transistors
2500
子類別: IGBTs
單位重量: 350 mg
