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ATP114-TL-H

發布時間:2023/6/5 10:07:00 訪問次數:40

技術 MOSFET(金屬氧化物)


漏源電壓(Vdss) 60 V


25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 55A(Ta)


驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V


不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 16 毫歐 @ 28A,10V


不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) -


不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)(最大值) 92 nC @ 10 V


Vgs(最大值) ±20V


不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 4000 pF @ 20 V


FET 功能 -


功率耗散(最大值) 60W(Tc)


工作溫度 150°C(TJ)


安裝類型 表面貼裝型

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