封裝 工作電壓

輸出邏輯 頻率范圍 產品系 列 頁碼 5x7mm 3.3V,5V CMOS/Clipped Sinewave 5MHz-200MHz BZT1 28-29 5x7mm 3.3V,5V CMOS/ Sinewave /Clipped 5MHz-100MHz BZT2 Sinewave 30-31 5x7mm 3.3V,5V CMOS/LVDS/LVPECL/CML 10MHz-1450MHz BZT3 32-34 20x12mm 3.3V,5V CMOS/ Sinewave /Clipped 1KHz-800MHz BZT4 Sinewave 35-37 5x3.2mm 3.3V,5V CMOS/Clipped Sinewave 6.4MHz-60MHz BZT5 38-41 3.2x2.5mm 3.3V,5V CMOS/Clipped Sinewave 6.4MHz-60MHz BZT6 38-41 2.5x2.0mm 3.3V,5V CMOS/Clipped Sinewave 6.4MHz-60MHz BZT7 38-41 2.0x1.6mm 3.3V,5V CMOS/Clipped Sinewave 6.4MHz-60MHz BZT8 38-41 5x7mm 3.3V,5V CMOS/ Sinewave /Clipped Sinewave 1.25MHz-52MHz TH1 42-43 5x3.2mm 3.3V,5V CMOS/ Sinewave /Clipped Sinewave 1.25MHz-52MHz TH2 44-45 17x14mm 3.3V,5V CMOS/ Sinewave 12MHz-250MHz TLP1 46-47 溫補晶振即溫度補償晶體振蕩器(TCXO)，是通過附加的溫度補償電路使由周圍溫度變化產生的振蕩 頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。本身自帶溫度補償功能的石英晶體振蕩器，溫補晶振可分為三 個類別：直接補償、間接補償、數字式。溫度補償晶體振蕩器電路通過附加溫度補償網絡，使環境溫度 變化后晶體串聯回路電容反向變化，以抵消晶體此間所產生的頻率一溫度漂移。參見圖 1 溫度補償曲線， I 為 AT 切型晶體頻率一溫度特性曲線，Ⅱ為晶體串聯回路補償曲線，Ⅲ為補償后的晶體振蕩器頻率溫 度特性曲線。根據補償網絡和所接位置，將溫補晶振分為直接補償和間接補償晶振。 圖 1 溫度補償曲線 溫補晶振具有高精度、高穩定性、抗干擾、低功耗等特點，在遇到環境大幅度變化的情況，它具 備了根據本身的溫度補償電路來補償由周圍溫度變化產生出的振蕩頻率偏差，從而為電子設備的正常工 作提供了強有力的保障。 溫補晶振主要應用于高精度智能電子設備，如航空航天時鐘系統、GPS 導航設備、無線通訊設備等。 BZT1系列,表貼7×5mm四腳溫補晶振 產 性能參數 條件 BZT1 F 頻率范圍 0 F0 頻率溫度穩定度 _Tc 所有條件 見選型指南 T 工作溫度范圍 OPR 見選型指南 工作電壓 (V) VDD +5.0 50 35 工作電流 (mA) I DD 輸出波形 Output Wave CMOS ，Clipped Sinewave 輸出負載 Output load 15pF 壓控電壓 0.3V(min),1.65V(std), 3.0V(max) 輸出對稱性 40%~60% 上升時間/下降時間 Tr/Tf 10nS Max. 抖動 Jitter 1.0pS Typ. "0"電平 VOL 0.4V or 10%VDD 輸出電平 "1"電平 VOH V -0.4V or 90%V DD 削峰正弦波輸出 10K Ohm (Typ) 10pF (Typ) 0.8V (Min) 產品特點： ●方波（CMOS）、削峰正弦波輸出 ●可靠性高，抗振動、抗沖擊能力強 ●寬的頻率范圍1.20MHz 到160MHz ●工作電壓3.3V，5.0V ●低抖動、低相噪 ●密封陶瓷封裝 應用范圍： ●通信、導航、基站 ●各類傳感器 ●汽車、兵器、船舶 ●測試儀器與設備 ●航空、航天產品