制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DIE
晶體管極性: N-Channel, P-Channel
通道數量: 3 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V, 200 V
Id-連續漏極電流: 20 A, 30 A
Rds On-漏源導通電阻: 9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.5 V, 2.5 V
Qg-柵極電荷: 14 nC, 23 nC, 30.2 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 48 W, 60 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Vishay Semiconductors
配置: Triple
下降時間: 2 ns, 10 ns, 19 ns
正向跨導 - 最小值: 16 S, 19 S, 65 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 3 ns, 9 ns, 12 ns
工廠包裝數量: 2000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 N-Channel, 1 P-Channel
典型關閉延遲時間: 15 ns, 22 ns, 43 ns
典型接通延遲時間: 7 ns, 8 ns, 10 ns