產品:
IGBT Silicon Modules
配置:
Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO:
600 V
集電極—射極飽和電壓:
1.7 V
在25 C的連續集電極電流:
150 A
Pd-功率耗散:
416 W
封裝 / 箱體:
110 mm x 89 mm
最小工作溫度:
- 20 C
最大工作溫度:
+ 150 C
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