技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
150 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
130A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
8V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
6.5 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 270μA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
93 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
7300 pF @ 75 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
