技術:
Si
安裝風格:
Through Hole
封裝/外殼:
TO-247-3
晶體管極性:
N-Channel
通道數:
1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:
200 V
Id - C連續漏極電流:
94 A
Rds On - 漏-源電阻:
10.6 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:
- 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :
4.5 V
Qg - 閘極充電:
77 nC
最低工作溫度:
- 55 C
最高工作溫度:
+ 175 C
Pd - 功率消耗 :
360 W
通道模式:
Enhancement
系列:
X4-Class
封裝:
Tube
品牌:
IXYS
下降時間:
7 ns
互導 - 最小值:
60 S
產品類型:
MOSFET
上升時間:
9 ns
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