標準包裝：3,000
類別：分離式半導體產品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：3A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：98 毫歐 @ 3A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250μA
閘電荷(Qg) @ Vgs：14nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds：510pF @ 25V
功率 - 最大：1.25W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝：Micro3?/SOT-23
包裝：帶卷 (TR)
其它名稱：IRLML5203TRPBF-NDIRLML5203TRP
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